Moduli MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ Trench

I moduli Trench MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ di Infineon Technologies sono dotati della tecnologia di contatto PressFIT e di un sensore di temperatura NTC (Negative Temperature Coefficient) integrato. Questi moduli funzionano a una tensione drain-source 1.200 V  sono caratterizzati da un design a bassa induzione, presentano basse perdite di commutazione e possiedono un'elevata densità di corrente. I moduli EasyPACK™ sono dotati di un robusto sistema di montaggio grazie alle staffe di montaggio integrate e sono confezionati con un CTI >600 V. Le applicazioni tipiche includono dispositivi di commutazione ad alta frequenza, convertitori DC/DC e caricabatterie DC per veicoli elettrici.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Confezione
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
15A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
18A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
28A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
14A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
6A magazzino
1520/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Moduli MOSFET EASY
Scheda dati
30In ordine
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray