FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The  FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET 20V Complementary PowerTrench 2.484A magazzino
5.00008/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 66 mOhms, 142 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV, 600 mV 3 nC, 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench
142.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT UMLP-6 N-Channel 2 Channel 20 V 3.4 A 55 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel