650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
GeneSiC Semiconductor Diodi Schottky SiC 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Scheda dati
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Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor Diodi Schottky SiC 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 600
Mult.: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor Diodi Schottky SiC 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 600
Mult.: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube