MOSFET PowerTrench® a gate schermato

I MOSFET Shielded Gate PowerTrench® Onsemi sono di tipo N-channel e offrono prestazioni di commutazione ottimizzate. Questo MOSFET presenta una bassacarica di recupero inverso (Qrr) e diodo per corpo morbido per una commutazione abasso rumore superiore. I MOSFET PowerTrench a gate schermato di Onsemi forniscono alta efficienza con minori picchi di commutazione e interferenza elettromagnetica (EMI).   migliorano la FOM (Figure of Merit) di commutazione. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono per unità di alimentazione (PSU) per telecomunicazioni, azionamenti per motori, gruppi statici di continuità (UPS) e inverter solari micro.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET PTNG 150V N-FET TO220 1.547A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFET PTNG 150V N-FET TO220 2.578A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFET PTNG 150V N-FET TO220 123A magazzino
1.600In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube