NCV5700DR2G

onsemi
863-NCV5700DR2G
NCV5700DR2G

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Scheda dati:
Modello ECAD:
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Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
1,38 € 1,38 €
1,01 € 10,10 €
0,92 € 23,00 €
0,814 € 81,40 €
0,765 € 191,25 €
0,736 € 368,00 €
0,66 € 660,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
0,64 € 1.600,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-16
1 Driver
1 Output
7.8 A
0 V
24 V
Inverting, Non-Inverting
9.2 ns
7.9 ns
- 40 C
+ 125 C
NCV5700
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: onsemi
Ritardo di spegnimento massimo: 75 ns
Ritardo di accensione massimo: 75 ns
Corrente di alimentazione operativa: 900 uA
Tensione di uscita: 5 V
Pd - Dissipazione di potenza: 900 mW
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Spegnimento: Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
Peso unità: 142 mg
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Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver

onsemi NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver features a high-current output of +4/-6A at IGBT Miller Plateau Voltages. The NCV5700 is a high-performance stand-alone IGBT driver for high-power applications. These applications include solar inverters, motor control, and uninterruptible power supplies. This device also eliminates many external components. Device protection features include Active Miller Clamp, accurate UVLO, EN input, DESAT protection and Active Low FAULT output. The driver has an accurate 5.0V output and separate high and low (VOH and VOL) driver outputs for system design convenience. A wide voltage range of bias supplies, including unipolar and bipolar voltages, are accommodated. The NCV5700 is available in a 16-pin SOIC package.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

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