IGBT Field Stop trench RGA80Tx 1.200 V

Gli IGBT Field Stop trench RGA80Tx 1.200 V di ROHM Semiconductor presentano bassa perdita di commutazione e conduzione. Questi IGBT hanno una tensione nominale collettore-emettitore di 1.200 V e una corrente nominale collettore-emettitore di 69 A. I dispositivi RGA80Tx di ROHM Semiconductor sono ideali per compressori elettrici, riscaldatori HV per applicazioni automobilistiche e invertitori per applicazioni industriali.

Risultati: 4
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Scheda dati
894A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Scheda dati
414A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Scheda dati
351A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Scheda dati
421A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube