STGWA40M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3

Produttore:

Descrizione:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max: 40 A
Corrente di perdita gate-emettitore: 250 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 600
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 38 g
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed with an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics S Series 1200V IGBTs are tailored to maximize low-frequency industrial system efficiency. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

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Prezzo Unitario:
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Prezzo esteso:
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Stima Tariffa:

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