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STGWA40M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA40M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40M120DF3
Price: 5.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGWA40M120DF3

N. produttore:

STGWA40M120DF3

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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Scheda dati:

STGWA40M120DF3 Scheda dati (PDF)

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,38 €	5,38 €
	3,05 €	30,50 €
	2,54 €	254,00 €
	2,27 €	1.362,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.85 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	80 A
Pd - Dissipazione di potenza:	468 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	M
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	40 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	38 g

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Scheda dati

STGWA40M120DF3 Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed with an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics S Series 1200V IGBTs are tailored to maximize low-frequency industrial system efficiency. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.