High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Corrente CC massima collettore Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione base-collettore VCBO Tensione emettitore-base VEBO Tensione di saturazione collettore-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro massima Serie Confezione

onsemi Transistor bipolari - BJT High Volt Fast Switching Trans 34.798A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 400 V 1.05 kV 14 V 230 mV 1.25 W + 150 C FJD5553 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor bipolari - BJT High Volt Fast Switching Trans 3.144A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 400 V 1.05 kV 14 V 1.5 V 1.34 W + 150 C FJD5555 Reel, Cut Tape, MouseReel