MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK

I MOSFET trench a canale N 2N7002AK di Nexperia sono transistori a effetto campo (FET) in modalità di potenziamento in piccoli contenitori in plastica SMD (a montaggio superficiale di piccole dimensioni) che utilizzano la tecnologia MOSFET trench. Questi dispositivi conformi a AEC-Q101 offrono compatibilità a livello logico in un ampio intervallo di temperatura di giunzione da -55 °C a +175 °C. Le applicazioni dei MOSFET trench a canale N 2N7002AK di Nexperia includono driver di relè e linee ad alta velocità, interruttori di carico laterali e circuiti di commutazione.

Risultati: 5
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A
Scheda dati
6.919A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
Scheda dati
Commenti sul prodotto
403A magazzino
5.00011/06/2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A
Scheda dati
23A magazzino
9.00022/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
Scheda dati
50.98807/06/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Scheda dati
Commenti sul prodotto
9.34631/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape