MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002AK

Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface-mounted (SMD) plastic packages using Trench MOSFET technology. These AEC-Q101-qualified devices offer logic-level compatibility in a wide -55°C to +175°C junction temperature range. Applications for Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs include relay and high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A
Scheda dati
4.845A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
Scheda dati
2.954A magazzino
5.00020/08/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A
Scheda dati
5.365A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
Scheda dati
23.28820/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Scheda dati
9.39701/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape