Transistori bipolari PNP DXTP80x

I transistori bipolari PNP DXTP80x di Diodes Incorporated offrono un package PowerDI® 3333-8 di fattore di forma piccolo e termicamente efficiente, consentendo prodotti finali ad alta densità. I dispositivi forniscono una tensione collettore-emettitore >-30 V, -60 V o -100 V e una tensione emettitore-base >-8 V. Il DXTP80x è ideale per ambienti ad alta temperatura, con una temperatura nominale di +175 °C. I transistori bipolari PNP di Diodes Inc. sono ideali per motori, solenoidi, relè e controlli di azionamento degli attuatori.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Serie
Confezione
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Scheda dati
3.785A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Scheda dati
1.588A magazzino
2.00029/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Scheda dati
1.592A magazzino
2.00008/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape