MOSFET per piccoli segnali BSS670

Il MOSFET per piccoli segnali BSS670 di ROHM Semiconductor è un MOSFET per piccoli segnali da 60 mA, 60 V, a canale N, progettato per la commutazione ad alta velocità. Il BSS670 presenta un'unità da 2,5 V ultrabassa e una protezione ESD fino a 2 kV (HBM). Il MOSFET BSS670 ROHM è ideale per circuiti di commutazione, interruttori di carico low-side e driver relè.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET SOT23 N-CH 60V .65A
Scheda dati
2.509A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET
Scheda dati
4.541A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel