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SI4056ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056ADY-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI4056ADY-T1-GE3
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SI4056ADY-T1-GE3

N. produttore:

SI4056ADY-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

Scheda dati:

SI4056ADY-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,09 €	1,09 €
	0,685 €	6,85 €
	0,452 €	45,20 €
	0,352 €	176,00 €
	0,32 €	320,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,284 €	710,00 €
	0,277 €	1.385,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	8.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	29.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	19.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	5 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Tempo di caduta:	4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	49 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Peso unità:	750 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Gen IV TrenchFET®

I MOSFET Gen IV TrenchFET^® di Vishay/Siliconix offrono una bassa resistenza in conduzione del settore e una bassa carica totale del gate in package SO-8 e 1212-8S PowerPAK^®. Questi MOSFET Gen IV TrenchFET presentano una R_DS(on) estremamente bassa, che si traduce in perdite di conduzione inferiori per una riduzione del consumo energetico. I MOSFET TrenchFET sono disponibili anche con package 1212-8 PowerPAK^® che consentono di risparmiare spazio con un'efficienza simile e un terzo delle dimensioni. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzamento sincrono, microinverter solari e interruttori per unità di azionamento motore.

MOSFET a canale N Si4056ADY

Il MOSFET a canale N Si4056ADY Vishay / Siliconix è disponibile in un package SO-8 con tensione nominale drain-source di 100 V e corrente di drain a impulsi di 40 A. Il MOSFET presenta una cifra di merito (FOM) R_DS x Qg bassa ed è regolato per il FOM R_DS x Q_oss più basso. Il MOSFET a canale N Si4056ADY Vishay è ideale per interruttori lato primario, driver LED, interruttori di carico e applicazioni di raddrizzamento sincrono.