MOSFET di potenza per applicazioni automotive OptiMOS™ 7 40 V

I MOSFET di potenza per applicazioni automotive OptiMOS™ 7 40 V di Infineon Technologies sono MOSFET a basso RDS(on) ad alta corrente con un comportamento di commutazione ottimizzato. Questi MOSFET automobilistici a canale N offrono un'elevata densità di potenza, bassi livelli di perdita di conduzione e un'elevata densità di corrente. I MOSFET OptiMOS™ 7 sono disponibili in un avanzato contenitore senza terminali di 3 mm x 3 mm con Cu-Clip per un basso valore Ron del contenitore e un'induttanza parassita minima. Questi MOSFET sono sottoposti al 100% di test per valanghe e sono conformi alla Direttiva RoHS. I MOSFET OptiMOS™ 7 sono ideali per applicazioni come la distribuzione di energia, l'azionamento dei vetri, i sedili elettrici, i sistemi EPS ad alta ridondanza e i moduli di controllo della carrozzeria.

Risultati: 14
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
Scheda dati
560A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
792A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
780A magazzino
5.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
784A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Scheda dati
700A magazzino
5.00012/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Scheda dati
700A magazzino
5.00019/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Scheda dati
693A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.78 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Scheda dati
264A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
788A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
216A magazzino
5.00028/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
344A magazzino
5.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
232A magazzino
5.00018/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 65 A 5.04 mOhms 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
43A magazzino
5.00018/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
10.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 770 uOhms 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape