VEMT Silicon NPN Phototransistors

Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors are silicon NPN epitaxial planar phototransistors in a miniature surface-mount package (SMD) with a dome lens. The VEMT2003X01, VEMT2023X01, and VEMT2023SLX01 modules include a daylight filter that is matched with 830nm to 950nm IR emitters. The VEMT2503X01, VEMT2523X01, and VEMT2523SLX01 variants are sensitive to visible and near-infrared radiation. Applications for Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors include automotive, miniature switches, light sensors, and more.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Package/involucro
Stile di montaggio
Lunghezza d'onda di picco
Corrente collettore massima a circuito chiuso
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di rottura collettore-emettitore
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Corrente nera
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Qualifica
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 470-1090nm +/-35 deg
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8.240A magazzino
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Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg
Scheda dati
16.819A magazzino
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Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Sideview 470-1090nm +/-35 deg
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33.369A magazzino
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Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg
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6.284A magazzino
12.000In ordine
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Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 790-970nm +/-15 deg
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8.150A magazzino
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Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 790-970nm +/-35 deg
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8.502A magazzino
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Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg
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2.850A magazzino
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Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg
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1.118A magazzino
6.00027/02/2026 previsto
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Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 470-1090nm +/-15 deg
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60A magazzino
12.000In ordine
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Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Side view 790-970nm +/-35 deg
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1.162A magazzino
9.000In ordine
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Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100