VEMT Silicon NPN Phototransistors

Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors are silicon NPN epitaxial planar phototransistors in a miniature surface-mount package (SMD) with a dome lens. The VEMT2003X01, VEMT2023X01, and VEMT2023SLX01 modules include a daylight filter that is matched with 830nm to 950nm IR emitters. The VEMT2503X01, VEMT2523X01, and VEMT2523SLX01 variants are sensitive to visible and near-infrared radiation. Applications for Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors include automotive, miniature switches, light sensors, and more.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Package/involucro Stile di montaggio Lunghezza d'onda di picco Corrente collettore massima a circuito chiuso Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di rottura collettore-emettitore Tensione di saturazione collettore-emettitore Corrente nera Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Qualifica
Vishay Semiconductors Fototransistor Sideview 470-1090nm +/-35 deg 33.174A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg 6.830A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Side view 790-970nm +/-35 deg 7.237A magazzino
15.00017/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg 7.118A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg 12.650A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 790-970nm +/-35 deg 8.467A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg 9.244A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 470-1090nm +/-35 deg 2.217A magazzino
6.00024/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 790-970nm +/-15 deg 2.418A magazzino
12.00009/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Fototransistor Gullwing 470-1090nm +/-15 deg
11.84016/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 6.000

Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100