iDEAL Semiconductor MOSFET

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 150V 233A TOLL
Scheda dati
90A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 10

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET
Scheda dati
119A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm
Scheda dati
4.607A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Scheda dati
1.839A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Scheda dati
1.375A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
Scheda dati
970A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
Scheda dati
331A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Scheda dati
200A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 200V 128A TO-220
Scheda dati
1.00007/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 150V 233A TOLL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Reel