Diodi Schottky al carburo di silicio STPSC 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio STPSC 650 V di STMicroelectronics sono diodi Schottky ad altissime prestazioni di potenza. L’ampio materiale di banda proibita consente la progettazione di una struttura di diodi Schottky con un valore nominale di 650 V. Grazie alla costruzione Schottky, non viene mostrato alcun recupero allo spegnimento e i modelli di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Questi dispositivi sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni PFC e incrementeranno le prestazioni in condizioni di hard-switching. L’elevata capacità di sovratensione diretta garantisce una buona robustezza durante le fasi transitorie.