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STDRIVEG211QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211QTR
Price: 3.46 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STDRIVEG211QTR

N. produttore:

STDRIVEG211QTR

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Driver di porta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

STDRIVEG211QTR Scheda dati (PDF)

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,46 €	3,46 €
	2,29 €	22,90 €
	2,08 €	52,00 €
	1,77 €	177,00 €
	1,68 €	420,00 €
	1,51 €	755,00 €
	1,41 €	1.410,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,20 €	3.600,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-18
Numero di driver:	2 Driver
Numero di uscite:	2 Output
Tensione di alimentazione - Min.:	10.7 V
Tensione di alimentazione - Max.:	18 V
Configurazione:	Inverting, Non-Inverting
Tempo di salita:	22 ns
Tempo di caduta:	11 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	45 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7 Ohms
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	GaN

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Scheda dati

STDRIVEG211QTR Scheda dati (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V.

Driver di porta half-bridge STDRIVEG211

I driver gate a semiponte STDRIVEG211 di STMicroelectronics sono progettati per GaN a modalità di potenziamento a canale N e la sezione driver high-side è in grado di sopportare una tensione di alimentazione fino a 220 V. Questi driver sono caratterizzati da un'elevata capacità di corrente, un breve ritardo di propagazione con un eccellente adattamento del ritardo e LDO integrati. Ciò li rende ottimizzati per la gestione di GaN ad alta velocità. I driver di gate a semiponte STDRIVEG211 sono dotati di UVLO di alimentazione su misura per applicazioni a commutazione rigida, interblocco per evitare condizioni di conduzione incrociata e un comparatore di sovracorrente con SmartSD. Questi driver offrono un intervallo esteso per pin di ingresso che consente un facile collegamento con i controller. Un pin di standby consente di ridurre il consumo energetico durante i periodi di inattività o in modalità burst. Le applicazioni includono microinverter solari, amplificatori audio di classe D, biciclette elettriche, illuminazione a LED, USB-C, utensili elettrici e robotica.