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XSM6K336NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K336NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K336NWLXHF
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-XSM6K336NWLXHF

N. produttore:

XSM6K336NW,LXHF

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

XSM6K336NW,LXHF Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,645 €	0,65 €
	0,396 €	3,96 €
	0,261 €	26,10 €
	0,205 €	102,50 €
	0,18 €	180,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,152 €	456,00 €
	0,14 €	840,00 €
	0,132 €	1.188,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	95 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	1.7 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3.3 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	JP
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	U-MOSVIII-H
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	8 ns
Tipico ritardo di accensione:	7 ns

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Product Catalogs

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico di Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 100 V ideali per le applicazioni automobilistiche. Sono caratterizzati da una bassa resistenza di accensione grazie a una tecnologia proprietaria che utilizza un connettore in Cu. Hanno un intervallo di tensione di soglia del gate ridotto da 2,5 V a 3,5 V, il che riduce la tolleranza del tempo di commutazione.