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WNSC5D16650CJ6Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D16650CJ6Q
Price: 0.78 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

771-WNSC5D16650CJ6Q

N. produttore:

WNSC5D16650CJ6Q

Produttore:

WeEn Semiconductors

Descrizione:

Diodi Schottky SiC WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Scheda dati:

WNSC5D16650CJ6Q Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,789 €	757,44 €
	0,749 €	2.157,12 €
	0,725 €	3.828,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	WeEn Semiconductors
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Package/involucro:	TO3PF-3
Configurazione:	Common Cathode
If - Corrente diretta:	16 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.45 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	40 A
Ir - Corrente inversa:	40 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	WeEn Semiconductors
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	480
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V
Alias n. parte:	934072973127

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Scheda dati

WNSC5D16650CJ6Q Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost. These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.