Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

VS-SF100SA120

Name: Vishay VS-SF100SA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF100SA120
Price: 53.57 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

78-VS-SF100SA120

N. produttore:

VS-SF100SA120

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

Moduli MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

VS-SF100SA120 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Vishay Semiconductors VS-SF100SA120

A magazzino: 314

A magazzino:: 314 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 38 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	53,57 €	53,57 €
	45,87 €	458,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	98 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	32.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 19 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.7 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	468 W
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	10.56 ns
Altezza:	12.3 mm
Lunghezza:	38.3 mm
Prodotto:	Power Module
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	44.32 ns
Quantità colli di fabbrica:	160
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Single Switch Silicon Carbide Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	36 ns
Tipico ritardo di accensione:	18.88 ns
Larghezza:	25.7 mm