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VS-FC420SA15

Name: Vishay VS-FC420SA15
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-FC420SA15
Price: 24.05 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-VS-FC420SA15

N. produttore:

VS-FC420SA15

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

Moduli MOSFET 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod

Scheda dati:

VS-FC420SA15 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	400 A
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	909 W
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	142 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	285 ns
Quantità colli di fabbrica:	160
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	ThunderFET
Tipo:	MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	120 ns
Tipico ritardo di accensione:	139 ns
Vf - Tensione diretta:	950 mV
Vr - Tensione inversa:	150 V
Peso unità:	30 g

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Scheda dati

VS-FC420SA15 Scheda dati

Application Notes

Mounting Instructions for SOT-227 Modules

PCN

Technical Resources

SOT-227 Generation 2

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High Voltage MOSFET Modules

Vishay High Voltage MOSFET Modules manage very high currents in low voltage power converters. These MOSFET modules include single switch power MOSFETs which feature ThunderFET^® and TrenchFET^® technologies. The high voltage MOSFET modules also include power MOSFETs which offer a fully isolated package, low on-resistance, dynamic dV/dt rating, and low drain to case capacitance. Vishay High Voltage MOSFET Modules provide an excellent combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance, and cost-effectiveness.