Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

UJ3N120065K3S

Name: onsemi UJ3N120065K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120065K3S
Price: 18.15 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

431-UJ3N120065K3S

N. produttore:

UJ3N120065K3S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

JFET 1200V/65MOSICJFETG3TO

Scheda dati:

UJ3N120065K3S Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi UJ3N120065K3S

A magazzino: 538

A magazzino:: 538 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 31 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	18,15 €	18,15 €
	11,89 €	118,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	JFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Configurazione:	Single
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 20 V to 3 V
Corrente drain-source a Vgs=0:	5 uA
Id - corrente di drain continua:	34 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	90 mOhms
Pd - Dissipazione di potenza:	254 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tipo di prodotto:	JFETs
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Nome commerciale:	SiC JFET

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

UJ3N120065K3S Scheda dati

Models

UJ3N120065K3S SPICE Model (Testo)

PCN

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.