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UJ3N120035K3S

Name: onsemi UJ3N120035K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120035K3S
Price: 25.04 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

431-UJ3N120035K3S

N. produttore:

UJ3N120035K3S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO

Scheda dati:

UJ3N120035K3S Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	JFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Configurazione:	Single
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	63 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	35 mOhms
Pd - Dissipazione di potenza:	429 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tipo di prodotto:	JFETs
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Nome commerciale:	SiC JFET
Peso unità:	13,633 g

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Scheda dati

UJ3N120035K3S Scheda dati

Models

SPICE Model/UJ3N120035K3S (Testo)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.