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UF3SC120016K3S

Name: onsemi UF3SC120016K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120016K3S
Price: 48.54 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

431-UF3SC120016K3S

N. produttore:

UF3SC120016K3S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC 1200V/16MOSICFETG3TO247-3

Scheda dati:

UF3SC120016K3S Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	107 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	21 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	218 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	517 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	SiC FET
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Serie:	UF3SC
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Peso unità:	6 g

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Scheda dati

UF3SC120016K3S Scheda dati

Models

UF3SC120016K3S SPICE (Testo)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

FET SiC ad alte prestazioni 650 V e 1.200 V UF3SC

I FET SiC ad alte prestazioni 650 V e 1.200 V di Qorvo sono dispositivi in carburo di silicio con basso R_{DS (on)} da 7 mΩ a 45 mΩ costruiti per velocità di commutazione elevate e minori perdite di commutazione. Questi dispositivi sono basati su un’esclusiva configurazione del circuito a cascode e mostrano una carica del gate ultrabassa. Il cascode configurazione HO impiega un pacchetto JFET SiC normalmente attivo co-confezionato con una molecola in silicio MOSFET per produrre un dispositivo sistema FET SiC normalmente spento. Le caratteristiche di gate drive standard FET UF3SC funzionalità che consentono una vera “sostituzione drop-in” per i IGBTs FET Si, i FET Si, l' SiC MOSFET arcipelaghi o il Si super-junction dispositivi. Questi FET SiC includono bassa capacità intrinseca ed eccellente recupero inverso. I FET UF3SC di Qorvo operano in un intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C e in un intervallo di tensione gate-source da -20 V a +20 V. Questi FET SiC sono ideali per la ricarica di veicoli elettrici (EV), invertitori fotovoltaici (PV), unità motore, alimentatori a commutazione, moduli di correzione del fattore di potenza (PFC) e riscaldamento a induzione. I FET SiC UF3SC di Qorvo sono disponibili nelle opzioni di package TO-247-3L e TO-247-4L per commutazione più rapida e forme d’onda del gate pulite.