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UF3SC065040B7S

Name: onsemi UF3SC065040B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065040B7S
Price: 14.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

431-UF3SC065040B7S

N. produttore:

UF3SC065040B7S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-7

Scheda dati:

UF3SC065040B7S Scheda dati

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	43 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	42 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	6 V
Qg - Carica del gate:	43 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	195 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SiC FET
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns, 12 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	SiC FETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	24 ns, 27 ns
Serie:	UF3SC
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo:	SiC FET
Ritardo di spegnimento tipico:	45 ns, 47 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns
Peso unità:	4,675 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FET SiC ad alte prestazioni UF3SC in D2-PAK

I FET SiC ad alte prestazioni UF3SC di Qorvo in D2-PAK-7L (package Kelvin a 7 conduttori) si basano su un’esclusiva configurazione del circuito “cascode” e presentano un eccellente recupero inverso. La configurazione del circuito PLUS include un JFET SiC normalmente attivo da co-integrato con MOSFET Si per produrre un dispositivo FET SiC normalmente spento. I FET UF3SC presentano caratteristiche di azionamento del gate standard che consentono una vera sostituzione drop-in “” a IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC o dispositivi super-junction Si. Questi FET SiC ad alte prestazioni operano a una temperatura massima di 175°C, una bassa carica del gate di 43 nC e una tensione di soglia tipica di 5 V. Applicazioni tipiche: alimentazione per telecomunicazioni e server, unità di azionamento motori, riscaldamento a induzione e alimentatori industriali.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

FET SiC ad alte prestazioni 650 V e 1.200 V UF3SC

I FET SiC ad alte prestazioni 650 V e 1.200 V di Qorvo sono dispositivi in carburo di silicio con basso R_{DS (on)} da 7 mΩ a 45 mΩ costruiti per velocità di commutazione elevate e minori perdite di commutazione. Questi dispositivi sono basati su un’esclusiva configurazione del circuito a cascode e mostrano una carica del gate ultrabassa. Il cascode configurazione HO impiega un pacchetto JFET SiC normalmente attivo co-confezionato con una molecola in silicio MOSFET per produrre un dispositivo sistema FET SiC normalmente spento. Le caratteristiche di gate drive standard FET UF3SC funzionalità che consentono una vera “sostituzione drop-in” per i IGBTs FET Si, i FET Si, l' SiC MOSFET arcipelaghi o il Si super-junction dispositivi. Questi FET SiC includono bassa capacità intrinseca ed eccellente recupero inverso. I FET UF3SC di Qorvo operano in un intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C e in un intervallo di tensione gate-source da -20 V a +20 V. Questi FET SiC sono ideali per la ricarica di veicoli elettrici (EV), invertitori fotovoltaici (PV), unità motore, alimentatori a commutazione, moduli di correzione del fattore di potenza (PFC) e riscaldamento a induzione. I FET SiC UF3SC di Qorvo sono disponibili nelle opzioni di package TO-247-3L e TO-247-4L per commutazione più rapida e forme d’onda del gate pulite.