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UF3C065030B3

Name: onsemi UF3C065030B3
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065030B3
Price: 20.31 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

431-UF3C065030B3

N. produttore:

UF3C065030B3

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC 650V/30MOSICFETG3TO263

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

UF3C065030B3 Scheda dati

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	65 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	27 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	51 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 25 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	242 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	SiC FET
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	15 ns
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	16 ns
Serie:	UF3C
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	57 ns
Tipico ritardo di accensione:	32 ns
Peso unità:	3 g

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Models

SPICE Model/UF3C065030B3 (Testo)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

FET SiC UF3C in package D2-PAK

I FET SiC UF3C di Qorvo in package a montaggio superficiale D2-PAK-3L e D2-PAK-7L si basano su un’esclusiva configurazione del circuito cascode e presentano un eccellente recupero inverso. Nella configurazione del circuito cascode, un JFET SiC normalmente attivo è co-integrato con un MOSFET Si per produrre un dispositivo FET SiC normalmente spento. Questi FET SiC offrono un basso diodo di corpo, bassa carica del gate e una tensione di soglia 4,8 V che consente il pilotaggio da 0 V a 15 V. Questi dispositivi FET SiC D2-PAK sono protetti da ESD e forniscono una distanza di passo e di sicurezza del package di >6,1 mm. Le caratteristiche standard di azionamento del gate dell' FET (FETs) sono sostituzioni drop-in per IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC o superjunction Si. Sono disponibili nelle varianti di tensione di rottura drain-source 1.200 V e 650 V e sono ideali per l’uso in qualsiasi ambiente controllato come alimentazione per telecomunicazioni e server, alimentatori industriali, unità di azionamento motori e riscaldamento a induzione.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.