TSM076NH04LDCR RLG

Taiwan Semiconductor
821-TSM076NH04LDCR
TSM076NH04LDCR RLG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Taiwan Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PDFN56U-8
N-Channel
2 Channel
40 V
34 A
7.6 mOhms
- 16 V, 16 V
2.2 V
10.7 nC
- 55 C
+ 175 C
55.6 W
Enhancement
PerFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Taiwan Semiconductor
Tempo di caduta: 5.6 ns
Transconduttanza diretta - Min: 133.3 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 50.1 ns
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 23.6 ns
Tipico ritardo di accensione: 7.3 ns
Alias n. parte: TSM076NH04LDCR
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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (VDS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.