TQM300NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor
821-TQM300NB06DCRRLG
TQM300NB06DCR RLG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Taiwan Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PDFN56U-6
N-Channel
2 Channel
60 V
6 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Taiwan Semiconductor
Tempo di caduta: 15 ns
Transconduttanza diretta - Min: 26 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 21 ns
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 11 ns
Tipico ritardo di accensione: 3 ns
Alias n. parte: TQM300NB06DCR
Peso unità: 372,608 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.