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TK40S06N1L,LXHQ

Name: Toshiba TK40S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK40S06N1L,LXHQ
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK40S06N1L,LXHQ

N. produttore:

TK40S06N1L,LXHQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Scheda dati:

TK40S06N1L,LXHQ Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,38 €	1,38 €
	0,877 €	8,77 €
	0,584 €	58,40 €
	0,459 €	229,50 €
	0,419 €	419,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	0,381 €	762,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	40 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	26 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	88.2 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	JP
Tempo di caduta:	11 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7 ns
Serie:	U-MOSVIII-H
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	38 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns
Alias n. parte:	TK40S06N1L,LXHQ(O
Peso unità:	360 mg

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Scheda dati

TK40S06N1L,LXHQ Scheda dati (PDF)

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Selection Guide 2024 - MOSFETs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico di Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 100 V ideali per le applicazioni automobilistiche. Sono caratterizzati da una bassa resistenza di accensione grazie a una tecnologia proprietaria che utilizza un connettore in Cu. Hanno un intervallo di tensione di soglia del gate ridotto da 2,5 V a 3,5 V, il che riduce la tolleranza del tempo di commutazione.

Dispositivi automobilistici

I dispositivi Toshiba per il settore automobilistico offrono una vasta gamma di MOSFET, isolamento ottico, transistor e diodi, per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Inoltre, Toshiba offre driver di controllo motore di grado automobilistico. I dispositivi Toshiba per il settore automobilistico sono qualificati AEC-Q100 e AEC-Q101.

MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 di Toshiba per il settore automobilistico sono una vasta gamma di MOSFET di potenza per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Toshiba opera nel settore automobilistico discreto sin dagli anni Sessanta, con i raddrizzatori. Ha introdotto i MOSFET per il settore automobilistico a partire dagli anni Novanta. Quanto a prestazioni e affidabilità, tutti i prodotti per il settore automobilistico di’Toshiba soddisfano e superano gli standard AEC-Q101.