Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

TK1R4F04PB,LXGQ

Name: Toshiba TK1R4F04PB,LXGQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

757-TK1R4F04PB,LXGQ

N. produttore:

TK1R4F04PB,LXGQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Scheda dati:

TK1R4F04PB,LXGQ Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Toshiba TK1R4F04PB,LXGQ

A magazzino: 1.831

A magazzino:: 1.831 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,24 €	2,24 €
	1,67 €	16,70 €
	1,20 €	120,00 €
	1,16 €	580,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,984 €	984,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-220SM-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	160 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.35 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	103 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	205 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	23 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Serie:	U-MOSIX-H
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	82 ns
Tipico ritardo di accensione:	47 ns
Alias n. parte:	TK1R4F04PB,LXGQ(O
Peso unità:	1,070 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtra documento:

Scheda dati

TK1R4F04PB,LXGQ Scheda dati

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico di Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 40 V ideali per applicazioni nel settore automobilistico. Questi dispositivi sono alloggiati in un piccolo package SOP Advance (WF) a bassa resistenza. Presentano bassa resistenza in conduzione, che può ridurre la perdita di conduzione. La serie U-MOSIX-H riduce anche il rumore di commutazione rispetto alla serie precedente di Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’(U-MOSIV).

Dispositivi automobilistici

I dispositivi Toshiba per il settore automobilistico offrono una vasta gamma di MOSFET, isolamento ottico, transistor e diodi, per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Inoltre, Toshiba offre driver di controllo motore di grado automobilistico. I dispositivi Toshiba per il settore automobilistico sono qualificati AEC-Q100 e AEC-Q101.

MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 di Toshiba per il settore automobilistico sono una vasta gamma di MOSFET di potenza per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Toshiba opera nel settore automobilistico discreto sin dagli anni Sessanta, con i raddrizzatori. Ha introdotto i MOSFET per il settore automobilistico a partire dagli anni Novanta. Quanto a prestazioni e affidabilità, tutti i prodotti per il settore automobilistico di’Toshiba soddisfano e superano gli standard AEC-Q101.

U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
Learn More