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TK125V65Z,LQ

Name: Toshiba TK125V65Z,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK125V65ZLQ
Price: 5.77 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK125V65ZLQ

N. produttore:

TK125V65Z,LQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

Scheda dati:

TK125V65Z,LQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,77 €	5,77 €
	3,90 €	39,00 €
	2,89 €	289,00 €
	2,88 €	2.880,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	2,44 €	6.100,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	125 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	40 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	18 ns
Serie:	DTMOS VI
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	90 ns
Tipico ritardo di accensione:	45 ns
Peso unità:	161,193 mg

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Superjunction DTMOS-VI 650 V

I MOSFET Superjunction DTMOS-VI da 650 V Toshiba sono progettati per funzionare in alimentatori a commutazione. Questi MOSFET a canale N presentano proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità. I MOSFET in silicio Superjunction DTMOS-VI da 650 V offrono bassa resistenza in conduzione drain-source tipica da 0,092Ω a 0,175Ω. Questi dispositivi presentano una tensione drain-source di 10 V.