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TK110N65Z,S1F

Name: Toshiba TK110N65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110N65ZS1F
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK110N65ZS1F

N. produttore:

TK110N65Z,S1F

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Scheda dati:

TK110N65Z,S1F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,46 €	6,46 €
	3,75 €	37,50 €
	3,74 €	448,80 €
	2,94 €	1.499,40 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	110 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	40 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	35 ns
Serie:	DTMOS VI
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	90 ns
Tipico ritardo di accensione:	62 ns
Peso unità:	6 g

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Scheda dati

TK110N65Z,S1F Scheda dati (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

MOSFET di potenza DTMOSVI TK110N65Z

Il MOSFET di potenza DTMOSVI TK110N65Z di Toshiba presenta una bassa resistenza in conduzione drain-source di R_DS(ON) = 0,092 Ω (tip.). Il MOSFET ha proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità e una modalità di arricchimento di V_th = da 3 a 4 V (V_DS = 10 V, i_d = 1,02 mA). Sono ideali per applicazioni di alimentazione a commutazione.

MOSFET Superjunction DTMOS-VI 650 V

I MOSFET Superjunction DTMOS-VI da 650 V Toshiba sono progettati per funzionare in alimentatori a commutazione. Questi MOSFET a canale N presentano proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità. I MOSFET in silicio Superjunction DTMOS-VI da 650 V offrono bassa resistenza in conduzione drain-source tipica da 0,092Ω a 0,175Ω. Questi dispositivi presentano una tensione drain-source di 10 V.