Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

TK063N60Z1,S1F

Name: Toshiba TK063N60Z1,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK063N60Z1S1F
Price: 5.69 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

757-TK063N60Z1S1F

N. produttore:

TK063N60Z1,S1F

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

TK063N60Z1,S1F Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Toshiba TK063N60Z1,S1F

A magazzino: 73

A magazzino:: 73 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,69 €	5,69 €
	4,29 €	42,90 €
	2,73 €	327,60 €
	2,48 €	1.264,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	37 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	63 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	56 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	242 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	50 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	105 ns
Tipico ritardo di accensione:	84 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

TK063N60Z1,S1F Scheda dati

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N in silicio TKx

I MOSFET a canale N in silicio TKx di Toshiba sono disponibili nei tipi U-MOSX-H e DTMOSVI e offrono caratteristiche prestazionali eccezionali. Questi MOSFET sono progettati con tempi di recupero inverso rapidi che migliorano l'efficienza nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità riducendo il ritardo tra gli stati di spegnimento e accensione. La bassa resistenza in conduzione drain-source [R_DS(on)] contribuisce a minimizzare le perdite di potenza e a migliorare la gestione termica, rendendoli ideali per applicazioni che richiedono la gestione di alta corrente con bassa dissipazione di energia.