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TJ80S04M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ80S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TJ80S04M3L,LXHQ

N. produttore:

TJ80S04M3L,LXHQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Scheda dati:

TJ80S04M3L,LXHQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,69 €	1,69 €
	1,20 €	12,00 €
	0,811 €	81,10 €
	0,653 €	326,50 €
	0,607 €	607,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	0,525 €	1.050,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	80 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	158 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	100 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Toshiba
Tempo di caduta:	300 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	100 ns
Serie:	UMOS VI
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	970 ns
Tipico ritardo di accensione:	125 ns
Alias n. parte:	TJ80S04M3L,LXHQ(O
Peso unità:	360 mg

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Scheda dati

TJ80S04M3L,LXHQ Scheda dati (PDF)

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Selection Guide 2024 - MOSFETs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico Toshiba sono MOSFET di potenza a canale P da -40 V per applicazioni per il settore automobilistico . Presentano una tensione di gate drive di -4,5 V rispetto a -6 V per i prodotti convenzionali nel package DPAK+. Ciò consente di utilizzare i sistemi anche quando la tensione della batteria scende. I MOSFET presentano una bassa resistenza in conduzione.

Dispositivi automobilistici

I dispositivi Toshiba per il settore automobilistico offrono una vasta gamma di MOSFET, isolamento ottico, transistor e diodi, per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Inoltre, Toshiba offre driver di controllo motore di grado automobilistico. I dispositivi Toshiba per il settore automobilistico sono qualificati AEC-Q100 e AEC-Q101.

MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza qualificati AEC-Q101 di Toshiba per il settore automobilistico sono una vasta gamma di MOSFET di potenza per coprire varie applicazioni automobilistiche in sistemi a batteria da 12 V a 48 V. Toshiba opera nel settore automobilistico discreto sin dagli anni Sessanta, con i raddrizzatori. Ha introdotto i MOSFET per il settore automobilistico a partire dagli anni Novanta. Quanto a prestazioni e affidabilità, tutti i prodotti per il settore automobilistico di’Toshiba soddisfano e superano gli standard AEC-Q101.