TGF2929-FL

Qorvo
772-TGF2929-FL
TGF2929-FL

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Modello ECAD:
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Qorvo
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
Screw Mount
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
- 40 C
+ 85 C
144 W
Marchio: Qorvo
Frequenza di lavoro massima: 3.5 GHz
Frequenza di lavoro minima: 0 Hz
Sensibili all’umidità: Yes
Potenza di uscita: 100 W
Confezione: Tray
Tipo di prodotto: GaN FETs
Serie: TGF2929
Quantità colli di fabbrica: 25
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN-on-SiC
Tipo: RF Power MOSFET
Alias n. parte: TGF2929 1123811
Peso unità: 64,190 g
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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

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