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STP80N240K6

Name: STMicroelectronics STP80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N240K6
Price: 5.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STP80N240K6

N. produttore:

STP80N240K6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Scheda dati:

STP80N240K6 Scheda dati (PDF)

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	2,86 €	28,60 €
	2,62 €	262,00 €
	2,19 €	1.095,00 €
	2,13 €	2.130,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	220 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	25.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	140 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tempo di caduta:	12 s
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.3 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	47.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns
Peso unità:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STP80N240K6 MDmesh K6

Il MOSFET di potenza STP80N240K6 MDmesh K6 di STMicroelectronics è basato sull'ultima tecnologia MDmesh K6, costruita in 20 anni di esperienza di in materiale di tecnologia di super giunzione. Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione offre una carica di gate ultra-bassa ed un'ottima R_DS(on) x area. Il MOSFET di potenza STP80N240K6 800 V presenta la migliore carica di gate e resistenza per area della sua classe, per le applicazioni che richiedono densità di potenza e alta efficienza di livello superiore.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.