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STL300N4LF8

Name: STMicroelectronics STL300N4LF8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL300N4LF8
Price: 2.22 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STL300N4LF8

N. produttore:

STL300N4LF8

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET

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Scheda dati:

STL300N4LF8 Scheda dati (PDF)

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	1,44 €	14,40 €
	0,98 €	98,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	304 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	70 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	167 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	STripFET F8
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1-N Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	55 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora.