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STL165N10F8AG

Name: STMicroelectronics STL165N10F8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL165N10F8AG
Price: 2.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STL165N10F8AG

N. produttore:

STL165N10F8AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

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Scheda dati:

STL165N10F8AG Scheda dati (PDF)

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	1,95 €	19,50 €
	1,53 €	153,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	158 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	90 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	167 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	19 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	17 ns
Serie:	STripFET F8
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	60 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora.