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STL13N60M6

Name: STMicroelectronics STL13N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M6
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STL13N60M6

N. produttore:

STL13N60M6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Scheda dati:

STL13N60M6 Scheda dati (PDF)

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	2,24 €	2,24 €
	1,43 €	14,30 €
	0,972 €	97,20 €
	0,795 €	397,50 €
	0,717 €	717,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-5x6-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	415 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.25 V
Qg - Carica del gate:	13 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	52 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9.4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6.5 ns
Serie:	Mdmesh M6
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	15.8 ns
Peso unità:	76 mg

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Scheda dati

STL13N60M6 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

I MOSFET M6 MDmesh™ di STMicroelectronics combinano una bassa carica del gate (Q_g) con un profilo di capacità ottimizzato per ottenere un'efficienza elevata su nuove topologie nelle applicazioni di conversione di potenza. La serie M6 MDmesh con super-junction offre prestazioni dall'efficienza estremamente elevata che si traducono in una maggiore densità di potenza e una bassa carica del gate per frequenze elevate. I MOSFET serie M6 hanno una tensione di rottura compresa tra 600 e 700 V e sono disponibili in una vasta gamma di opzioni di imballaggio tra cui una soluzione di package TO-Leadless (TO-LL) che consente un'efficiente gestione termica. I dispositivi includono una vasta gamma di tensioni operative per applicazioni industriali come caricabatterie, adattatori, moduli in scatola argento, illuminazione LED, telecomunicazioni, server e l'industria del solare.

MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
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MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.