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STHU65N050DM9AG

Name: STMicroelectronics STHU65N050DM9AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU65N050DM9AG
Price: 8.17 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STHU65N050DM9AG

N. produttore:

STHU65N050DM9AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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	8,17 €	8,17 €
	6,07 €	60,70 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	HU3PAK-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	51 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	50 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	100 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	245 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7 ns
Serie:	MDmesh M9
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	80 ns
Tipico ritardo di accensione:	29 ns
Peso unità:	2,320 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.