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STH315N10F7-6

Name: STMicroelectronics STH315N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH315N10F7-6
Price: 4.34 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STH315N10F7-6

N. produttore:

STH315N10F7-6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Scheda dati:

STH315N10F7-6 Scheda dati (PDF)

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,34 €	4,34 €
	2,89 €	28,90 €
	2,06 €	206,00 €
	1,96 €	980,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	1,95 €	1.950,00 €
	1,66 €	8.300,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	180 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	180 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	315 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	40 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	108 ns
Serie:	STH315N10F7-6
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	148 ns
Tipico ritardo di accensione:	62 ns
Peso unità:	1,600 g

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Scheda dati

STH315N10F7-6 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE

I MOSFET di potenza STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE STMicroelectronics sono MOSFET di potenza a canale N qualificati per il settore automobilistico secondo AEC-Q101 che combinano la migliore resistenza del settore con basse capacità interne e carica del gate, aumentando sia la conduzione che l'efficienza della commutazione. Disponibili negli integrati TO-220 o H2PAK a 2 o 6 conduttori, standard del settore, questi dispositivi aiutano i progettisti a ridurre le dimensioni della scheda e a massimizzare la densità di alimentazione. I MOSFET STH315N10F7 possiedono inoltre un'elevata robustezza di livello avalanche per resistere alle condizioni potenzialmente dannose. Con 100 V nominali, questi MOSFET STripFET VII DeepGATE offrono un adeguato margine di sicurezza per resistere alle sovratensioni tipiche. I MOSFET STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE sono inoltre particolarmente adatti per prestazioni molto gravose nelle applicazioni automobilistiche e di commutazione.
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MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.