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STGWA50M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2AG
Price: 5.13 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGWA50M65DF2AG

N. produttore:

STGWA50M65DF2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT

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STGWA50M65DF2AG Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,13 €	5,13 €
	3,51 €	35,10 €
	2,54 €	254,00 €
	2,13 €	1.278,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Serie:	HB2
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	6,100 g

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Scheda dati

STGWA50M65DF2AG Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.