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STGWA50M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2
Price: 4.91 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGWA50M65DF2

N. produttore:

STGWA50M65DF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads

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Scheda dati:

STGWA50M65DF2 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.65 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	80 A
Pd - Dissipazione di potenza:	375 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	HB2
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	80 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 uA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	6 g

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Scheda dati

STGWA50M65DF2 Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,91 €	4,91 €
	2,77 €	27,70 €
	2,30 €	230,00 €
	2,01 €	1.206,00 €

STGWA50M65DF2

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads Completa il tuo progetto

Caratteristiche tecniche

Documenti (3)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

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