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STGW75M65DF2

Name: STMicroelectronics STGW75M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75M65DF2
Price: 5.19 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGW75M65DF2

N. produttore:

STGW75M65DF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss

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Scheda dati:

STGW75M65DF2 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.65 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	120 A
Pd - Dissipazione di potenza:	468 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGW75M65DF2
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	120 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	+/- 250 uA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.