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STGP30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGP30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30H60DFB
Price: 2.79 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGP30H60DFB

N. produttore:

STGP30H60DFB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Scheda dati:

STGP30H60DFB Scheda dati (PDF)

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A magazzino: 833

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,79 €	2,79 €
	1,57 €	15,70 €
	1,20 €	120,00 €
	0,98 €	490,00 €
	0,903 €	903,00 €
	0,846 €	1.692,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-220-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	60 A
Pd - Dissipazione di potenza:	260 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGP30H60DFB
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	60 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	2 g

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Scheda dati

STGP30H60DFB Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.