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STGP10M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10M65DF2
Price: 1.7 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGP10M65DF2

N. produttore:

STGP10M65DF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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Scheda dati:

STGP10M65DF2 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,70 €	1,70 €
	1,08 €	10,80 €
	0,73 €	73,00 €
	0,578 €	289,00 €
	0,528 €	528,00 €
	0,507 €	1.014,00 €
	0,47 €	2.350,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Serie:	STGP10M65DF2
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	CN
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	2 g

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Scheda dati

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PCN

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ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.