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STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 1.48 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGD6M65DF2

N. produttore:

STGD6M65DF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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Scheda dati:

STGD6M65DF2 Scheda dati (PDF)

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,48 €	1,48 €
	0,937 €	9,37 €
	0,625 €	62,50 €
	0,492 €	246,00 €
	0,449 €	449,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,402 €	1.005,00 €
	0,384 €	1.920,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	12 A
Pd - Dissipazione di potenza:	88 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGD6M65DF2
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	12 A
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 uA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	330 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.