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STGB30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGB30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30H60DFB
Price: 2.83 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGB30H60DFB

N. produttore:

STGB30H60DFB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Scheda dati:

STGB30H60DFB Scheda dati (PDF)

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A magazzino: 79

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,83 €	2,83 €
	1,83 €	18,30 €
	1,35 €	135,00 €
	1,14 €	570,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,972 €	972,00 €
	0,92 €	1.840,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	D2PAK-3
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	60 A
Pd - Dissipazione di potenza:	260 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGB30H60DFB
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	60 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	+/- 250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	1,380 g

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Scheda dati

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.