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STF80N240K6

Name: STMicroelectronics STF80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N240K6
Price: 5.1 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STF80N240K6

N. produttore:

STF80N240K6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Scheda dati:

STF80N240K6 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,10 €	5,10 €
	3,85 €	38,50 €
	3,11 €	311,00 €
	2,77 €	1.385,00 €
	2,37 €	2.370,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220FP-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	16 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	220 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	25.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	27 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.3 ns
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	47.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.