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STD7NM80

Name: STMicroelectronics STD7NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD7NM80
Price: 3.82 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STD7NM80

N. produttore:

STD7NM80

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

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Scheda dati:

STD7NM80 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,82 €	3,82 €
	2,55 €	25,50 €
	1,82 €	182,00 €
	1,69 €	845,00 €
	1,50 €	1.500,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,40 €	3.500,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	6.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.05 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	18 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	90 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	STD7NM80
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

STD7NM80 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.